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Vishay SIHK055N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET + Diode 600 V / 40 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2520264
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHK055N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
PIN-Diode
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
40 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, vishay diode, smd diode, 40a mosfet, 2520264, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHK055N60EFT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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