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| Artikel-Nr.: 3794E-2591486 Herst.-Nr.: BSZ180P03NS3EGATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 39,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PG-TSDSON-8 Montage-Typ = SMD Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 39,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PG-TSDSON-8 | Montage-Typ: | SMD |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2591486, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSZ180P03NS3EGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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