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| Artikel-Nr.: 3794E-2591502 Herst.-Nr.: FS75R07W2E3B11ABOMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 275 W Gehäusegröße = ACEPACK 2 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 95 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 275 W | Gehäusegröße: | ACEPACK 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, igbt infineon, igbt, 2591502, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS75R07W2E3B11ABOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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