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Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2591525
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGP50N60TXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 333 W
Gehäusegröße = PG-TO220-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
90 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
333 W
Gehäusegröße:
PG-TO220-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2591525, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGP50N60TXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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