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Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2591535
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKW50N65H5FKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 305 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
305 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2591535, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW50N65H5FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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