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Infineon IPB011N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 201 A, 3-Pin PG-TO263-3

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-2625842

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPB011N04NF2SATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 201 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	201 A
Drain-Source-Spannung max.:	40 V
Gehäusegröße:	PG-TO263-3
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Channel-Modus:	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:	2

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: 2625842, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB011N04NF2SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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