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ROHM R6013VND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2655414
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6013VND3TL1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 13a
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-252
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2655414, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6013VND3TL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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