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| Artikel-Nr.: 3794E-2688341 Herst.-Nr.: SIS184LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 69,4 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 69,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2688341, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIS184LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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