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Vishay SIS184LDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 69,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2688342
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS184LDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
69,4 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Channel-Modus:
Enhancement
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: 2688342, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIS184LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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