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| Artikel-Nr.:
3794E-2737408 Herst.-Nr.:
FS75R12KT3GBOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 355 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | +/-20V | Verlustleistung max.: | 355 W | Gehäusegröße: | Modul | Montage-Typ: | Tafelmontage |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2737408, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS75R12KT3GBOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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