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Infineon IGBT / 55 A +/-20V max. , 650 V 188 W, 3-Pin 188


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2737454
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKP30N65H5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 55 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 188 W
Gehäusegröße = 188
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
55 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
188 W
Gehäusegröße:
188
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2737454, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP30N65H5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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