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Vishay IGBT / 68 A ± 20V max. , 1200 V 291 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2741339
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GT55NA120UX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 68 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ± 20V
Verlustleistung max. = 291 W
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
68 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
± 20V
Verlustleistung max.:
291 W
Gehäusegröße:
SOT-227
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
4
Weitere Suchbegriffe: 2741339, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGT55NA120UX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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