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Vishay IGBT / 193 A ± 20V max. Dual, 650 V 517 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2766407
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GT200TS065N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 193 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ± 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Halbbrücke
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
193 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
± 20V
Anzahl an Transistoren:
2
Konfiguration:
Halbbrücke
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
7
Weitere Suchbegriffe: 2766407, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGT200TS065N
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