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onsemi RFD14N05LSM N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Stück

Produktinformationen

onsemi RFD14N05LSM N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Artikel-Nr.:
3794E-3257619

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
RFD14N05LSM

EAN/GTIN:
5059042635133

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	14 A
Drain-Source-Spannung max.:	50 V
Gehäusegröße:	DPAK (TO-252)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	100 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	48 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 3257619, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFD14N05LSM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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