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ISSI 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,5 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-391624
Hersteller:
     ISSI
Herst.-Nr.:
     IS62WV25616BLL-55TLI
EAN/GTIN:
     5059045919285
Suchbegriffe:
S-RAM Support-IC
SRAM
4mbit sram
s-ram support-ic
Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter = 256k
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 55ns
Adressbusbreite = 18bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 18.52 x 10.29 x 1.05mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Arbeitsspannnung min. = 2,5 V

Statischer RAM, ISSI. Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM ;sup> mit ;/sup>geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.. Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16 ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
4MBit
Organisation:
256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter:
256k
Anzahl der Bits pro Wort:
16bit
Zugriffszeit max.:
55ns
Adressbusbreite:
18bit
Low Power:
Ja
Timing Typ:
Asymmetrisch
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
TSOP
Pinanzahl:
44
Abmessungen:
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Arbeitsspannnung max.:
3,6 V
Arbeitsspannnung min.:
2,5 V
Weitere Suchbegriffe: 391624, Halbleiter, Speicherbausteine, ISSI, IS62WV25616BLL55TLI, Semiconductors, Memory Chips
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