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| Artikel-Nr.:
3794E-4452269 Herst.-Nr.:
BSP295H6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043926605 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Serie = SIPMOS
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 300 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14 nC @ 10 V | Serie: | SIPMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 4452269, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP295H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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