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| Artikel-Nr.: 3794E-4857636 Herst.-Nr.: STP3NK90Z EAN/GTIN: 5059042626292 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 90 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = MDmesh, SuperMESH
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 90 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | MDmesh, SuperMESH |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 4857636, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP3NK90Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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