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| Artikel-Nr.:
3794E-5409761 Herst.-Nr.:
IRFZ34NPBF EAN/GTIN:
5059043907789 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 34 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 68 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 34 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 5409761, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFZ34NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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