|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-5410531 Herst.-Nr.:
IRFD210PBF EAN/GTIN:
5059040894716 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | HVMDIP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 5410531, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFD210PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |