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Infineon HEXFET IRFP150NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247AC


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Infineon HEXFET IRFP150NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247AC
Artikel-Nr.:
     3794E-5410856
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP150NPBF
EAN/GTIN:
     5059043905433
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 42 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 110 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
42 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
36 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
160 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-247ac, 5410856, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP150NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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