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| Artikel-Nr.: 3794E-5410862 Herst.-Nr.: IRFP9240PBF EAN/GTIN: 5059040764163 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 150 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 44 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 500 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 44 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 5410862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFP9240PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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