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| Artikel-Nr.:
3794E-5411039 Herst.-Nr.:
IRFD110PBF EAN/GTIN:
5059040908130 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | HVMDIP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 540 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8,3 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 5411039, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFD110PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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