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| Artikel-Nr.:
3794E-5411124 Herst.-Nr.:
IRFBE30PBF EAN/GTIN:
5059040738256 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 78 nC @ 10 V
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 78 nC @ 10 V | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5411124, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFBE30PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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