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| Artikel-Nr.: 3794E-5411203 Herst.-Nr.: IRL530NPBF EAN/GTIN: 5059045860747 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 79 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Breite = 4.69mm Serie = LogicFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 79 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Breite: | 4.69mm | Serie: | LogicFET |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 5411203, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRL530NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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