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Infineon IGBT / 23 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220AB N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-5411461

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRG4BC30WPBF

EAN/GTIN:
5059045844259

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon

Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.54 x 4.69 x 8.77mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Einfach-IGBT bis 20 A, Infineon. Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Diese Geräte verwenden FRED-Dioden, die für die beste Leistung mit IGBTs optimiert wurden

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	23 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	600 V
Gate-Source Spannung max.:	±20V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	10.54 x 4.69 x 8.77mm
Betriebstemperatur max.:	+150 °C

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Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220ab, 5411461, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRG4BC30WPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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