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| Artikel-Nr.:
3794E-5411922 Herst.-Nr.:
IRFB9N60APBF EAN/GTIN:
5059040892330 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 49 nC @ 10 V
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 750 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 170 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 49 nC @ 10 V | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5411922, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFB9N60APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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