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| Artikel-Nr.:
3794E-5411944 Herst.-Nr.:
IRFB11N50APBF EAN/GTIN:
5059040908604 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 520 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 52 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 520 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 170 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 52 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, 11a mosfet, 5411944, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFB11N50APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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