| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-5429557 Herst.-Nr.: IRFBF30PBF EAN/GTIN: 5059040936768 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 125 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.7mm Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.7mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5429557, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFBF30PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |