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Vishay IRF610PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,3 A 36 W, 3-Pin TO-220AB

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Stück

Produktinformationen

Vishay IRF610PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,3 A 36 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
3794E-5430046

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
IRF610PBF

EAN/GTIN:
5059040686250

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	3,3 A
Drain-Source-Spannung max.:	200 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	1,5 Ω
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	36 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Breite:	4.7mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5430046, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF610PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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