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Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB

Menge:

Stück

Produktinformationen:

Infineon HEXFET IRFZ44VPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 115 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
3794E-5430939

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRFZ44VPBF

EAN/GTIN:
5059043940243

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 17 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 115 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 8.77mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	55 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	17 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	115 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Höhe:	8.77mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 5430939, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFZ44VPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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