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| Artikel-Nr.:
3794E-5431156 Herst.-Nr.:
IRFP3703PBF EAN/GTIN:
5059043392714 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 210 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 209 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 210 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 209 nC @ 10 V | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, 210a mosfet, 5431156, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP3703PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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