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| Artikel-Nr.:
3794E-6011264 Herst.-Nr.:
2SA1986-O(Q) EAN/GTIN:
5059041947039 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –230 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 150 W
Gleichstromverstärkung min. = 55
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 230 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 30 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –15 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –230 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 150 W | Gleichstromverstärkung min.: | 55 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 230 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 30 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor toshiba, 6011264, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Toshiba, 2SA1986O(Q), Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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