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| Artikel-Nr.:
3794E-6012807 Herst.-Nr.:
GT30J322(Q) EAN/GTIN:
5059041944939 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = TO-3PNIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 21mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | TO-3PNIS | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.8 x 5 x 21mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 6012807, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT30J322(Q), Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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