Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = I2PAK (TO-262)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.