|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-6556795 Herst.-Nr.:
SI1302DL-T1-E3 EAN/GTIN:
5059040870406 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 480 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 280 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,86 nC @ 10 V
Höhe = 1mm
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 480 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 280 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 0,86 nC @ 10 V | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 6556795, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1302DLT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |