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| Artikel-Nr.:
3794E-6697322 Herst.-Nr.:
ZVP4424GTA EAN/GTIN:
5059043957937 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 480 mA
Drain-Source-Spannung max. = 240 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 2500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -40 V, +40 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 480 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 240 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -40 V, +40 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 6697322, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVP4424GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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