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| Artikel-Nr.:
3794E-6710362 Herst.-Nr.:
FDG8850NZ EAN/GTIN:
5059042848328 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 750 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 1,03 nC @ 4,5 V
Serie = PowerTrench
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 750 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 1,03 nC @ 4,5 V | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 6710362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDG8850NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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