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onsemi FDS4435BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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onsemi FDS4435BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     3794E-6710508
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS4435BZ
EAN/GTIN:
     5059042847178
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 29 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
8,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
20 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: 6710508, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS4435BZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
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B82801B0205A100
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