|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-6710582 Herst.-Nr.:
FDS6670A EAN/GTIN:
5059042848090 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 21 nC @ 5 V
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 21 nC @ 5 V | Serie: | PowerTrench |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 6710582, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS6670A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |