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| Artikel-Nr.:
3794E-6710891 Herst.-Nr.:
FQB34P10TM EAN/GTIN:
5059042847116 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 85 nC @ 10 V
Höhe = 4.83mm
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 85 nC @ 10 V | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 6710891, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQB34P10TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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