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| Artikel-Nr.:
3794E-6710902 Herst.-Nr.:
FQB50N06LTM EAN/GTIN:
5059042848120 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 21 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 24,5 nC @ 5 V
Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 52 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 21 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 24,5 nC @ 5 V | Serie: | QFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 6710902, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQB50N06LTM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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