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onsemi FQD17P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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onsemi FQD17P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     3794E-6710968
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD17P06TM
EAN/GTIN:
     5059042841855
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor. Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten. Eigenschaften und Vorteile:. Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter Zelldesign mit hoher Dichte Hoher Sättigungsstrom Hervorragende Schaltleistung Große robuste und zuverlässige Leistung DMOS-Technologie. Anwendungen:. Lastschaltung DC/DC-Wandler Batterieschutz Stromüberwachungssteuerung Gleichstrommotor-Steuerung
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
12 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
135 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 6710968, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQD17P06TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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