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| Artikel-Nr.:
3794E-6711084 Herst.-Nr.:
NDS352AP EAN/GTIN:
5059042843484 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 900 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2 nC @ 4,5 V
Höhe = 0.94mm
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor. Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten. Eigenschaften und Vorteile:. Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter Zelldesign mit hoher Dichte Hoher Sättigungsstrom Hervorragende Schaltleistung Große robuste und zuverlässige Leistung DMOS-Technologie. Anwendungen:. Lastschaltung DC/DC-Wandler Batterieschutz Stromüberwachungssteuerung Gleichstrommotor-Steuerung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 900 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 300 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 2 nC @ 4,5 V | Höhe: | 0.94mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 6711084, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NDS352AP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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