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| Artikel-Nr.:
3794E-6714736 Herst.-Nr.:
BS170 EAN/GTIN:
5060641279796 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 830 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 830 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, 6714736, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BS170, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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