|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-6714948 Herst.-Nr.:
FQA55N25 EAN/GTIN:
5059042845921 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 310 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 55 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 310 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | QFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 6714948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQA55N25, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |