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onsemi QFET FQP17P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-6715045
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQP17P06
EAN/GTIN:
     5059042845914
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 79 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 9.4mm

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
17 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
120 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
79 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Breite:
4.7mm
Höhe:
9.4mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 6715045, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQP17P06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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CHF 5.0807
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