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onsemi QFET FQP47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 47 A 160 W, 3-Pin TO-220AB


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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onsemi QFET FQP47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 47 A 160 W, 3-Pin TO-220AB
onsemi QFET FQP47P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 47 A 160 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     3794E-6715127
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQP47P06
EAN/GTIN:
     5059042849370
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 84 nC @ 10 V
Serie = QFET

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
47 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
26 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
160 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
84 nC @ 10 V
Serie:
QFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 6715127, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQP47P06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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