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| Artikel-Nr.:
3794E-6867852 Herst.-Nr.:
IXTK22N100L EAN/GTIN:
5059045875246 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = Linear
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 700 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | Linear |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 6867852, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTK22N100L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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