| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-6875093 Herst.-Nr.: STB100NF04T4 EAN/GTIN: 5059042984927 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 9.35mm Serie = STripFET II
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 9.35mm | Serie: | STripFET II |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 6875093, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB100NF04T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |