STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK50ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,3 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics